基于CF4/Ar高密度感应耦合等离子体的BZN薄膜的刻蚀工艺研究
作者:王刚;李威;李平;李祖雄;范雪;姜晶
作者单位:电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
加工时间:2014-06-15
信息来源:《材料导报》
关键词:BZN薄膜;感应耦合等离子体;干法刻蚀;刻蚀速率;表面形貌
摘 要:使用CF4/Ar高密度感应耦合等离子体(ICP)对磁控溅射法制得的铌酸锌铋(BZN)薄膜进行了干法刻蚀工艺研究.分析了BZN薄膜的刻蚀速率随工艺气体流量比、总流量和工作压强的改变而出现极大值的原因,展示了BZN薄膜的刻蚀速率随ICP功率的增大而线性增加的趋势.研究结果表明,使用CF4/Ar感应耦合等离子体对BZN薄膜进行刻蚀的机理为物理辅助的化学反应刻蚀.BZN薄膜的最佳刻蚀工艺参数为CF4/Ar流量比3/2、总流量25sccm、工作压强1.33Pa、ICP功率800W,使用此参数对BZN薄膜进行刻蚀,最大刻蚀速率为26nm/min,刻蚀后薄膜边缘齐整、表面光滑、形状完整.