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带有TSV的硅基大功率LED封装技术研究
作者:师帅;吕植成;汪学方;王飞;袁娇娇;方靖; 作者单位:华中科技大学机械科学与工程学院;武汉光电国家实验室微光机电系统研究部;华中科技大学光学与电子信息学院; 加工时间:2013-12-20 信息来源:半导体光电
关键词:大功率LED;;TSV;;散热;;封装;;有限元法
摘 要:介绍了一种带有凹槽和硅通孔(through silicon via,TSV)的硅基制备以及晶圆级白光LED的封装方法。针对硅基大功率LED的封装结构建立了热传导模型,并通过有限元软件模拟分析了这种封装形式的散热效果。模拟结果显示,硅基封装满足LED芯片p-n结的温度要求。实验结合半导体制造工艺,在硅基板上完成了凹槽和通孔的制造,实现了LED芯片的有效封装。热阻测试仪测得硅基的热阻为1.068K/W。实验结果证明,这种方法有效实现了低热阻、低成本、高密度的LED芯片封装,是大功率LED封装发展的重要方向。
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
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