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Ge@C82结构及性质的理论研究
作者:洪波;金东日;李蕴;马亚娟;卢敏;李霞;张好好;孙钰 作者单位:吉林农业大学资源与环境学院,长春130118 加工时间:2014-04-15 信息来源:《高等学校化学学报》
关键词:GeC82;电子结构;电子性质;密度泛函理论
摘 要:采用密度泛函理论方法,对Ge@C82的结构及性质进行计算研究.结果表明,由于包合Ge,C82碳笼平均键长增长,碳笼增大,而且Ge原子略微偏离碳笼中心.三重态的C2Ge@C82为能量最低结构.自然布居分析表明,C2C82与Ge之间未发生电子转移,可以用C2Ge@C82来表示它的结构.C2C82和C2Ge@C82的红外光谱计算结果显示,二者的主要区别为C2Ge@C82在1100 ~ 1200 cm-1区间的吸收峰变得更尖锐.
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