关键词：p型栅;氮化镓;高电子迁移率晶体管;仿真
摘 要：为了简化后期栅极驱动电路设计、降低成本,工业界对增强型高电子迁移率晶体管的需求与日俱增。采用p型栅结构制备增强型器件的方法是目前极有前景的一种增强型方法。该方法致力于提高器件的正向阈值电压和输出饱和电流,通过Silvaco TCAD软件调节AlGaN势垒层厚度及其Al组分,仿真器件转移特性曲线和输出特性曲线。将AlGaN势垒层厚度优化为20 nm,Al组分优化为0.27,使器件具有更大的阈值电压和输出饱和电流。并通过仿真器件能带结构和AlGaN/GaN沟道中电子浓度,进一步分析器件结构影响其性能的物理机制。结果表明,Al GaN势垒层厚度及其Al组分增加,则器件阈值电压减小,输出饱和电流增加。器件阈值电压与关态时能带结构有关,输出饱和电流与开态时AlGaN/GaN沟道电子浓度有关。
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