LaAlO3顶层对Pb(Zr,Ti)O3薄膜微结构和性能的影响
作者：郝兰众；刘云杰；朱俊；张鹰
作者单位：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;中国石油大学(华东)物理科学与技术学院,东营257061;中国石油大学(华东)物理科学与技术学院,东营257061;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
加工时间：2014-03-15
信息来源：《材料导报》
关键词：顶层；铁电极化；漏电流
摘 要：利用脉冲激光沉积(PLD)法,在LaAlO3(LAO)基片上外延生长了高质量的PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)薄膜.通过增加10nm厚的LAO顶层,所制备PZT薄膜的铁电剩余极化(Pr)由28.8μC/cm2增加为55.1μC/cm2.通过对微结构分析,表明薄膜电学性能的增强主要来源于LAO顶层对PZT薄膜表面形貌的优化.另外,与Pr不同,随LAO顶层厚度的增加,PZT薄膜的矫顽场单调增加.
027-87841330