关键词：硫化铟纳米花；液相合成；密度泛函理论；表面能；形貌控制
摘 要：以C2H5NS和In(NO3)3为前驱物，采用简单的液相法成功制备了In2S3纳米多级结构，C2H5NS作为硫源的同时也起到了模板剂的作用。研究结果表明，前驱物浓度对In2S3形貌控制起着重要作用。随着In(NO3)3/C2H5NS摩尔比从1∶1.5增加到1∶6，In2S3纳米花呈现了不同的形貌和尺寸。XRD谱图显示，In2S3纳米花晶体具有立方结构。SEM和TEM照片显示，制备的In2S3纳米结构呈多级花状结构，这种结构由纳米片堆积组装而成。通过第一性原理计算并结合实验结果对C2H5NS影响纳米片生长的机理进行了分析，结果表明C2H5NS在In2S3(001)晶面上的吸附可以有效降低晶面的表面能，起到稳定晶面的作用；纳米花的形成是在C2H5NS影响In2S3的晶面稳定性及其成核速率之间的一个协同效应。In2S3纳米晶的形貌可以通过调整反应溶液中的C2H5NS浓度来调节。