关键词：化学机械平坦化;高温退火;抛光垫;CMP;金属栅;金属栅极;
摘 要：近年来,随信息技术的迅猛发展,对集成电路性能、功耗不断提出更高的需求。在摩尔定律的推动下,集成电路的晶体管集成密度越来越高,不断更新迭代的先进制造技术是提升集成电路密度、提高性能、降低功耗的重要保障。集成电路制造工艺经历了从微米级向纳米级的快速发展,经历多个重要的技术节点,分别是500nm、180nm、130nm、90nm、65nm、45nm、28nm、22nm,14nm、7nm,根据国际半导体技术蓝图预测,一直可以发展到未来的1.5nm。
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