光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%-60%。因此光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料。

一、光刻胶的概述 .... 1

（一）光刻胶的定义 . 1

（二）光刻胶分类 ... 1

（三）光刻胶的技术参数 ....................... 3

二、光刻胶的发展 .... 4

（一）光刻胶的发展历史 ....................... 4

紫外负型光刻胶 ... 4

紫外正型光刻胶 ... 5

248nm 深紫外光刻胶 ......................... 5

193nm 深紫外光刻胶 ......................... 6

（二）新一代光刻技术 ......................... 7

157nm 深紫外光刻胶 ......................... 7

极短紫外光刻胶（EUV） ...................... 8

电子束光刻胶 ..... 8

离子束胶 ......... 9

X 射线胶 ......... 9

（三）世界光刻胶发展瓶颈 ..................... 9

（四）中国光刻胶发展瓶颈 ..................... 9

三、光刻胶的应用 ... 11

（一）半导体光刻胶  11

光刻胶应用环节 .. 11

市场规模分析 .... 12

（二）液晶显示（LCD） ....................... 15

光刻胶应用环节 .. 15

市场规模分析 .... 16

（三）印刷电路板（PCB） ..................... 20

光刻胶应用环节 .. 20

市场规模分析 .... 20

四、中国光刻胶产业 . 23

五、世界光刻胶产业 . 29