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日研究团队制作了高质量2英寸GaN芯片和MOSFET
来源:中国电子企业协会 发布日期:2017-02-24
日本三菱化学及富士电机、丰田中央研究所、京都大学、产业技术综合研究所的联合团队成功解决了在氮化镓（GaN）芯片上形成GaN元件功率半导体关键技术。GaN功率半导体是碳化硅功率半导体的下一代技术。日本通过发光二极管的开发积累了GaN元件技术，GaN芯片生产量占据世界最高份额。若做到现有技术的实用化，将处于世界优势地位。 功率半导体有利于家电、汽车、电车等的节能，产业需求
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