关键词：化学机械抛光;钴;阻挡层;互连层;抛光液;清洗剂
摘 要：在当今集成电路技术飞速发展的时代背景下，随着工艺节点不断缩小至纳米级，互连结构及其工艺技术的挑战愈发严峻。钴（Co）作为一种新兴的金属材料，凭借其出色的热稳定性、优异的空隙填充能力和对铜（Cu）布线的强附着力，正逐步成为Cu互连阻挡层及潜在互连布线的热门选择。然而，随之而来的是对材料表面平整度与清洁度的极高要求，这直接促使了化学机械抛光（Chemical mechanical planarization，CMP）工艺及其后清洗技术的深入研究与创新。本文旨在回顾Co作为Cu互连阻挡层和新型互连布线在集成电路中的应用现状，深入分析CMP工艺中抛光液的不同组分对Co去除速率、电偶腐蚀和去除速率选择比等方面的影响。同时，探讨了在CMP清洗过程中清洗剂的关键作用，通过精确设计的化学配方，有效剥离纳米颗粒、有机残留等污染物，确保Co表面达到高度清洁与平整度标准。此外，文章还敏锐地指出了当前研究中的局限，并对Co的CMP及后清洗技术在追求更环保、更高效方向进行了前瞻性展望。
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