关键词：化学机械抛光(CMP);硅片;腐蚀缺陷;烷基糖苷(APG);去除速率
摘 要：针对化学机械抛光(CMP)后硅片表面出现腐蚀缺陷的问题，研究了烷基糖苷(APG)对硅片表面腐蚀缺陷的影响。结果表明APG对硅片的抛光速率和静态腐蚀速率都有抑制效果，当APG质量浓度为0.8 mg/L时能获得较快的抛光速率(836 nm/min)、较低的静态腐蚀速率(3 nm/min)。经过不含APG的抛光液抛光后，硅片表面缺陷数目344个，采用扫描电子显微镜发现缺陷类型主要是腐蚀缺陷，此时硅片表面粗糙度0.58 nm。当抛光液中加入0.8 mg/L的APG时，缺陷数目下降到43个，表面粗糙度下降到0.28 nm。接触角和Langmuir吸附计算结果证明，APG主要依靠其亲水端的羟基和醚键在硅片表面物理吸附成膜，从而隔绝了抛光液中有机碱对硅片表面的腐蚀。
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