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双面化学机械抛光工艺中抛光工况优化
作者:王现刚; 刘奕然; 曹军 加工时间:2025-01-16 信息来源:微纳电子技术
关键词:双面化学机械抛光;数学模型;工况优化;晶圆自转;全局平坦度
摘 要:在双面化学机械抛光过程中,晶圆与抛光垫之间的相对运动状态是影响晶圆表面加工质量,尤其是全局平坦度的关键因素。为了提高在双面化学机械抛光过程中晶圆表面全局平坦度,在双面化学机械抛光基本尺寸结构的基础上,构建了数学模型,并以速度平方代替速度对数学模型进行了有效的简化。然后,利用Python软件对晶圆相对上、下抛光垫的运动状态进行仿真模拟,引入变量β来量化晶圆表面全局平坦度。仿真结果表明,在机械结构恒定时,晶圆表面全局平坦度由上、下抛光垫自转角速度以及行星轮公转和自转角速度决定。上、下抛光垫自转角速度对晶圆表面全局平坦度的影响强于行星轮公转和自转角速度,并进一步提出了一种工况优化策略。
内 容:原文可通过湖北省科技资源共享服务平台(https://www.hbsts.org.cn/)获取
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