关键词：单晶碳化硅;电化学氧化;抛光液成分;表面粗糙度;材料去除率
摘 要：单晶碳化硅具有高硬度和高化学惰性，化学机械抛光方法难以同时保证其加工效率和表面质量。电化学机械抛光具有较高的材料去除率，是加工碳化硅的一种有效方法。然而，目前针对碳化硅电化学机械抛光液的相关研究还较为缺乏。为此，首先通过单因素实验确定电化学机械抛光液中导电介质和磨粒种类，然后分析导电介质和磨粒浓度以及抛光液pH值对材料去除率和表面粗糙度的影响规律，最终确定抛光液的最佳参数。结果表明：在抛光液以NaCl为导电介质，SiO₂为抛光磨粒时，碳化硅具有较好的抛光效率和表面质量，其材料去除率和表面粗糙度随着NaCl浓度的增大而增大，随着磨粒浓度的增加先增大后趋于稳定；当NaCl浓度为0.6 mol/L、SiO₂质量分数为6%、抛光液pH值为7时，可以兼顾碳化硅抛光的材料去除率和表面粗糙度S_a，其值分别为2.388μm/h和0.514 nm。
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