关键词：HEMT;外部边缘电容;沟道长度调制效应;模型
摘 要：AlGaN/GaN HEMT外部边缘电容C_(ofd)是由栅极垂直侧壁与二维电子气水平壁之间的电场构成的等效电容.本文基于保角映射法对C_(ofd)进行物理建模,考虑沟道长度调制效应,研究外部偏置、阈值电压漂移和温度变化对C_(ofd)的影响:随着漏源偏压从零开始增加,C_(ofd)先保持不变再开始衰减,其衰减速率随栅源偏压的增加而减缓;AlGaN势垒层中施主杂质浓度的减小和A1组分的减小都可引起阈值电压的正向漂移,正向阈值漂移会加强沟道长度调制效应对C_(ofd)的影响,导致C_(ofd)呈线性衰减.在大漏极偏压工作情况下,C_(ofd)对器件工作温度的变化更加敏感.
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