材料性能突出，器件优势明显。当前Si半导体已逼近物理极限，以SiC为代表的第三代半导体成为后摩尔时代半导体行业发展的重点方向之一，SiC材料拥 有高击穿电场、高导热率以及高饱和电子漂移速度等特性，制备的器件相较于Si产品能够降低80%损耗的同时将器件尺寸缩小90%，在新能源汽车、光伏 以及轨道交通等领域具备广阔的替代空间。SiC为半导体重要新材料，产业链自主可控需求强烈。当前海外对华科技限制持续加码，产业链自主可控刻不容缓，SiC作为半导体领域的重要新材料，国内外SiC技术代差约为5-8年，相较硅基半导体，具备实现国产替代机遇，国家重视程度将不断上升，有望持续推出利好政策助力国内SiC行业发展，国内SiC产业链有望迎来快速发展良机。