碳化硅性能优异，衬底为最核心环节：碳化硅材料性能突破硅基极限，相较于传统硅基器件，碳化硅功率器件的功率密度、开关效率和器件损耗上都有大幅度优化。碳化硅产品生产流程从材料端衬底与外延的制备开始，经历芯片的设计与制造，再到模块的封装后，最终流向下游应用市场。从成本拆分来看，衬底成本占比达46%，是产业链中最为核心的环节。目前衬底制备环节中，晶体生长环节，受碳化硅长晶速度慢，黑箱操作以及碳化硅晶体结构类型众多影响，导致碳化硅衬底产量小，良率低；在切割研磨抛光环节，由于碳化硅是高硬度的脆性材料，期切磨抛的加工难度增加，对碳化硅晶柱的材料利用率较低，产出晶片数量较少。上述难点造成了碳化硅目前制备成本较高，成为限制产业发展的瓶颈。未来随着衬底尺寸从6 寸向8 寸提升，持续优化良率以及相关生产切割、抛光工艺的的升级，碳化硅材料成本有望显著下降，将有效降低整体器件价格，提升下游客户的替代意愿，拉升碳化硅功率器件的市场渗透率。