湖南三安半导体基地一期项目于6月23日投产，项目涵盖衬底材料、外延生长、晶圆制造及封装测试等环节，将打造国内首条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链。三安光电（600703.SH）公告显示，该项目总投资160亿元，可月产30000片6英寸碳化硅晶圆。业内认为，这是国内LED芯片龙头三安光电向第三代半导体领域扩张的重要一步。6月23日上午，三安光电股价上涨4.65%至32.87元/股，截至收盘，涨幅为3.15%。

湖南项目主要建设具有自主知识产权，以碳化硅、氮化镓等为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地，位于长沙高新产业园区，规划用地面积约1000亩，2020年7月动工。

建成达产后，湖南三安半导体基地预计将实现年销售额120亿元。三安光电相关人士向第一财经记者透露，湖南三安半导体基地设备已点亮，下一步进行工艺调试和流片。

第三代半导体可以满足电力电子对高温、高功率、高压、高频的要求。湖南三安半导体基地通过大规模生产，以及自有碳化硅材料制备专利，产品将可广泛应用于通信、服务器电源、光伏、新能源汽车主驱逆变器等领域。

目前碳化硅半导体仍处于发展初期，渗透率不高，会率先用在充电桩、服务器电源等领域。随着技术突破和成本下降，未来十年有望大范围用于工业及电动汽车领域。电动车市场将是碳化硅器件成长的主要驱动力，碳化硅功率器件市场预计将以每年31%的复合增长率增长。 Cree 公司预计，碳化硅衬底及功率器件2024年市场规模将分别达11亿美元、50亿美元。

近年国内掀起第三代半导体的投资热潮，台积电最近也在扩大氮化镓等第三代半导体业务。上述三安光电相关人士认为，虽然氮化镓、碳化硅都属于第三代半导体的范畴，但是氮化镓功率器件用于手机快充、数据中心电源等领域较多；碳化硅功率器件则更多用在新能源汽车与充电、5G通信基站、特高压电网、高铁与轨道交通、工业互联网、大数据中心，这些都是国家新基建重点发展的领域。

集邦咨询研究副总经理王飞向第一财经记者分析，湖南三安半导体主要侧重点是碳化硅垂直整合产业链，中国市场相关需求成长非常迅速，三安在相关领域有一定技术积累，如果项目能够及时达产的话，可能有机会复制三安在LED芯片领域的模式。