刻蚀工艺是半导体加工的核心环节之一，多种技术途径各有优缺点，并行发展，先进芯片 制造工艺对刻蚀设备的性能和数量上的要求均有提升。薄膜沉积、光刻和刻蚀是半导体制造的三大核心工艺。刻蚀是一种通过物理或化学的方法，有选择地去除部分薄膜层，从而在薄膜上得到所需图形的手段。当前，干法刻蚀占据市场规模的90%左右，因其能保证细小图形转移后的高保真性，在图形转移中占据主导地位。湿法刻蚀因其成本、速度的优势，多用于特殊材料层的去除和残留物的清洗，以及制造光学器件和MEMS等领域。CCP和ICP 是常见的干法刻蚀技术，在介质刻蚀、金属刻蚀、硅刻蚀等应用领域各有千秋，另有ALE 这一新兴刻蚀方法，在先进制程上具备优势。