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“功率半导”铸全球竞争护城河,产品格局看“底部”机遇

加工时间:2024-06-17 信息来源:EMIS 索取原文[44 页]
关键词:国产二极管;SiC MOSFET;封装;光伏;风电
摘 要:

国产功率参与全球化竞争,产品与技术从“缓慢追赶”到“逐步领先”,积极拓展海外市场。国产功率厂商近几年快速进行技术升级与产品迭代,与国际龙头厂商差距显著缩小甚至在特定领域内快速取代海外龙头成为核心供应商,并且形成不可逆转的主流趋势。在二极管/IGBT模 组领域,国内厂商建立强护城河,全球市占率显著提升,替代空间足,同时运用海外品牌或海外建厂等方式积极拓展海外市场,龙头企业海外销售占比有望进一步提升。MOSFET方面,AI服务器的快速放量提供增量空间,国产MOSFET替代空间足。



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