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有色金属行业：高频高功率迭代推动磁元件与磁粉芯爆发式增长－磁材系列深度（二）
高频、高功率趋势下对软磁材料要求高电阻率、高功率、高饱和磁通密度和低能耗。第三代半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等性能，应用于新能源车、服务器电源、数据中心等诸多领域。SiC 器件拥有更小的尺寸和更低的开关频率损耗，整体实现高频化、高功率密度的发展趋势，同时对配套的磁性元件也要求向高频化、高功率、微型化、节能化的方向发展。软磁磁芯是决定磁性元件性能的关键上游材料，因此对软磁材料的选择要求高电阻率、高功率、高饱和磁通密度和低能耗。
索取原文[23 页]
027-87841330