第三代半导体主要是指氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等宽禁带半导体,它们通常都具有高击穿电场、高热导率、高迁移率、高饱和电子速度、高电子密度、可承受大功率等特点。宽禁带半导体契合了电力电子、光电子和微波射频等领域的节能需求。在电力电子领域，碳化硅功率器件相比硅器件可降低50%以上的能源损耗，减少75%以上的设备装置，有效提升能源转换率。在光电子领域，氮化镓具有光电转换效率高、散热能力好的优势，适合制造低能耗、大功率的照明器件。在射频领域，氮化镓射频器件具有效率高、功率密度高、带宽大的优势，带来高效、节能、更小体积的设备。

1 新材料:高新技术基础及先导 .............................................................................................................................................. 7
2 第三代半导体:能源转换链中的革命 ................................................................................................................................ 11
2.1 碳化硅是功率器件的优质衬底材料 ................................................................................................................................. 12
2.2 新能源及通讯将支撑市场稳步发展 .................................................................................................................................. 21
2.3 价格及可靠性仍是扩大应用的难点 ................................................................................................................................. 31
2.4 衬底及外延成未来弯道超车的关键 .................................................................................................................................. 45
3 投资建议 ............................................................................................................................................................................ 55
风险提示： ............................................................................................................................................................................ 55