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Na掺杂和空位对ZnO磁性及电子结构的影响
作者:付斯年;李聪;朱瑞华;郑友进; 加工时间:2020-06-23 信息来源:人工晶体学报
关键词:Na掺杂ZnO;第一性原理;形成能;电子结构
摘 要:通过第一性原理,对Na掺杂(Na_(Zn))与Zn空位(V_(Zn))及Na掺杂与O空位(V_O)共存的ZnO体系的形成能、电子结构及磁性机理进行了研究。结果表明,Na原子与空位(V_(Zn)或V_O)空间位置最近时,掺杂体系的形成能最低;与诱导V_(Zn)相比,Na掺杂在ZnO体系中更易诱导V_O,并且过量的Na掺杂必然导致V_O的形成。另外,磁性研究发现,Na掺杂与空位(V_(Zn)或V_O)共存的体系都具有磁性。并且Na掺杂与V_(Zn)共存的ZnO体系磁性源于V_(Zn)的本征缺陷,而Na掺杂与V_O共存的ZnO体系的磁性源于Na原子与V_O的电子关联交互作用。
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
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