关键词：第一性原理;二氧化钒;态密度
摘 要：二氧化钒(VO_2)是一种热至变色材料,在临界温度340 K有金属-半导体相变。第一性原理计算结果发现:C、N、F元素以1.56%、3.13%、4.69%的原子浓度掺杂M1相VO_2的带隙E_(g1)降低到0.349～0.612 eV,其中氮元素以4.69%的浓度掺杂VO_2的带隙E_(g1)最小(0.349 eV)。在C、N、F掺杂M1相VO_2体系中,3.13%的N掺杂可以有效降低相变温度,并且对可见光透过率影响不大,所以3.13%的N原子掺杂VO_2可以在实际中应用。
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