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MoTe_2的电子结构及光学性质的理论研究
作者:马睿华;刘珊珊;辛霞;周慧颖;任梦琦;伍冬兰; 加工时间:2020-01-15 信息来源:井冈山大学学报(自然科学版)
关键词:MoTe2;电子结构;光学性质;第一性原理
摘 要:利用密度泛函理论第一性原理方法对MoTe_2的能带结构、能态密度和光学性质进行了理论计算,得到能带结构、态密度、光吸收谱、能量损失谱和介电函数等光学性质。结果表明:MoTe_2具有间接带隙宽度为1.066 eV的半导体材料,价带主要由Mo的5s4p价电子和Te的5s5p价电子起主要作用;导带由Mo和Te的4d价电子起主要作用。由获得的光学性质可知,介电函数的实部和虚部的峰值都出现在低能区;位于可见到紫外区域的光子具有很强的吸收,最大吸收系数为2.84×10~5cm~(-1);同时在光子能量为16.40 eV处出现了共振现象,其它区域内电子之间共振非常微弱。这些光学性质奠定了该材料在制作微电子和光电子器件方面的作用。
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
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