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半导体行业:底部确认,新一轮涨价周期开启-存储芯片研究系列
自去年12 月起NAND 和DRAM 现货价陆续起涨,NAND 涨幅更加明显。根据Bloomberg 数据,NAND 和DRAM 现货价已陆续自去年12 月起涨。具体来看,NAND 现货价自去年12 月上旬起涨,不同规格容量差异较大,截至2/28 日,TLC 512G 上涨33%,TLC 256G 上涨48%,TLC 128G 上涨7%。DRAM 本次涨价滞后两周左右,自去年12 月中旬起涨,不同规格容量涨幅均匀,DDR4 8G 上涨23%,DDR4 4G 上涨24%,DDR3 4G上涨21%。