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电子行业：碳化硅需求量高速增长，国内企业产能释放迎机遇
碳化硅（SiC）具有很多优势，作为一种宽禁带半导体材料，SiC 临界击穿电场强度高，约比硅（Si）高10 倍左右， 导通电阻低，可使器件的导通损耗大大降低；SiC 具备较高的载流子迁移率，能够提供较高的电流密度，可减少周边 器件的使用，相同功率等级下封装尺寸更小，从而在整体上缩减了系统尺寸；SiC 也有良好的热导率，更容易散热， 工作温度可以达到600℃，而一般的Si 器件最多能坚持到150℃；SiC 也能够实现高频开关，减少无源器件的体积和 成本。因其这些特性，SiC 被称作第三代半导体材料之一，可被用来制造各种耐高温的高频大功率器件，具有广阔的 市场空间和前景。
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027-87841330