第三代半导体：更先进的材料，更优异的产品特性。第三代半导体材料是指带隙宽度达到2.0-6.0eV的宽禁带半导体材料，包括了碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），是制造高压大功率电力电子器件的突破性材料。相比硅基，SiC材料在热导率、开关频率、电子迁移率和击穿场强均具备优势，因此SiC材料具备更高效率和功率密度。从产业链来看，衬底是价值链核心，在成本SIC SBD器件中，衬底价值量占比达到47%。我们认为，衬底价格下降是推动碳化硅产业链发展的核心环节，衬底行业的发展也是未来SiC产业降本增效和商业化落地的核心驱动因素。

一、第三代半导体：更先进的材料，更优异的产品特性

二、市场空间仍待开发，产业链成熟度逐步提升

三、海外厂商为主导，国内企业正加速追赶

四、渗透率提升市场空间打开，短期分歧不改长期趋势

五、重点公司分析与投资建议

六、风险提示