5411 篇
13918 篇
478362 篇
16355 篇
11779 篇
3949 篇
6564 篇
1255 篇
75762 篇
38242 篇
12197 篇
1674 篇
2874 篇
3423 篇
642 篇
1242 篇
1980 篇
4930 篇
3896 篇
5520 篇
电子行业：III－V族化合物半导体研究框架
III-V族半导体材料是化学元素周期表中的IIIA族元素硼、铝、镓、铟、铊和VA族元素氮、磷、砷、锑、铋组成的化合物。代表半导体材料为：砷化镓GaAs、磷化铟InP。：Indium Phosphide，磷和铟的化合物，其具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度高等诸多优点，被广泛应用于光通信、光电器件、高频毫米波器件、光电集成电路集成激光器、光探测器等领域。
索取原文[64 页]
027-87841330