5347 篇
13897 篇
477387 篇
16218 篇
11751 篇
3898 篇
6510 篇
1243 篇
75477 篇
37463 篇
12122 篇
1645 篇
2846 篇
3402 篇
641 篇
1237 篇
1968 篇
4899 篇
3853 篇
5414 篇
电子行业：III－V族化合物半导体研究框架
III-V族半导体材料是化学元素周期表中的IIIA族元素硼、铝、镓、铟、铊和VA族元素氮、磷、砷、锑、铋组成的化合物。代表半导体材料为：砷化镓GaAs、磷化铟InP。：Indium Phosphide，磷和铟的化合物，其具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度高等诸多优点，被广泛应用于光通信、光电器件、高频毫米波器件、光电集成电路集成激光器、光探测器等领域。
索取原文[64 页]
027-87841330