CVD 硅碳工艺的出现大幅提速硅负极的产业化，25 年硅负极预计在手机领域扩大渗透，也有望在动力场景实现 0-1，我们建议关注硅负极放量背景下，新工艺带来的产业链增量环节投资机会。CVD 法硅碳成新主流工艺，加速硅负极产业化，重塑竞争格局。1）球磨法向 CVD 法迭代：在硅的纳米化工艺上，CVD 法能将硅径粒精确控制在 10nm 以内，并实现均匀包覆，取代球磨法成为新一代主流工艺；2）CVD 硅碳相比硅氧优势扩大：目前 CVD 法硅碳/硅氧产品的克容量约 1800/1500mAh/g,且 CVD 硅碳可支持超 1000 次循环，并实现低于硅氧的膨胀水平。3）新工艺重塑格局：CVD 法下工艺、设备较硅氧大幅迭代，重塑先前硅氧的竞争格局，当前天目先导、兰溪致德、璞泰来、贝特瑞等在 CVD 硅碳进展领先。