ChatGPT 带动算力需求飙升，存算侧带动硬件全面受益。据NVIDIA 估算，训练GPT-3，假设单个机器的显存/内存容量足够的前提下，8 张V100显卡训练时长预计达36 年，1024 张80GB A100 显卡完整训练GPT-3 的时长为1 个月，算力侧硬件需求全面增长。此外，大模型训练需要海量数据传输，由此将对以服务器交换机为代表的数据传输设备产生更多需求，相关高算力芯片需求量将相应增长。整体来看，ChatGPT 将从算力侧和数据传输端全面带动显卡及高算力芯片需求，进而对算力芯片、应用端、存算一体、先进封装、封装设备、IC 载板等多个领域硬件产生增量需求。

一、AI 带动存力芯片用量快速提升 .......................................................................................................................... 6
1.1 AI 带动算力及存力需求快速提升 ................................................................................................................. 6
1.2 AI 服务器需求快速增长，有望带动存储行业困境修复 ................................................................................... 8
1.3 海外龙头减产缩支，国产化存储产业链或将加快布局 .................................................................................. 12
二、DRAM：周期轮动，价格底部........................................................................................................................... 16
2.1 DRAM：强周期属性，高垄断格局 .............................................................................................................. 16
2.2 行业寒冬，周期视角下的底部 ................................................................................................................... 19
2.2.1 供需端：需求短期等待修复，DRAM 厂商难逃行业寒冬 ...................................................................... 19
2.2.2 价格端：高水位库存+低需求市场，降价持续 .................................................................................... 21
三、NAND Flash:市场有望快速修复 ........................................................................................................................ 23
3.1 NAND Flash 市场规模持续增长 .................................................................................................................. 25
3.2 等待下游需求恢复，价格欲将企稳修复 ...................................................................................................... 26
3.2.1 供需端:产业链进一步集中，供需逐渐修复 ......................................................................................... 26
3.2.2 价格端：环比下降收窄，价格将逐步企稳 .......................................................................................... 32
四、存储创新技术适配AI 快速发展 ........................................................................................................................ 34
4.1 HBM 突破技术瓶颈，逐渐凸显应用价值 ..................................................................................................... 34
4.1.1 HBM 堆叠技术进一步提高传输速率 ................................................................................................... 34
4.1.2 HBM 技术已迅速发展，人工智能将带动技术快速突破 ........................................................................ 36
4.2 存算一体：嵌入计算能力，有效提升数据效率 ............................................................................................ 38
4.2.1 存算一体，后摩尔时代发展的必然要求 ............................................................................................. 38
4.2.2 国外龙头占据行业垄断地位，国内厂商积极布局 ................................................................................ 40
4.3 3D NAND：突破存储容量限制瓶颈 ............................................................................................................. 41
五、 重点关注标的 ............................................................................................................................................... 44
5.1 兆易创新：业绩高速增长，看平台化公司如何打造 ..................................................................................... 44
5.2 北京君正：收购北京矽成进入存储芯片市场，业绩高速增长、利润率有所修复 ............................................. 45
5.3 雅克科技：全球前驱体核心供应商，深度受益高性能存储需求 .................................................................... 47
5.4 东芯股份：国内SLC NAND 龙头，短期业绩有望快速修复 ........................................................................... 48
5.5 深科技：存储芯片封测领先者，定增加码产能 ............................................................................................ 49
5.6 普冉股份：存储行业新星，发力工业控制和车载领域 .................................................................................. 50
5.7 佰维存储：存储芯片小巨人，短期业绩承压 ............................................................................................... 52
5.8 香农芯创：AI 服务器需求增长，带动内存有望提升 .................................................................................... 53
六、风险提示 ....................................................................................................................................................... 54