碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。受技术与工艺水平限制， 氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战，其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或半 绝缘碳化硅晶片为衬底，通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件，主要应用于宏基站通 信射频领域；而碳化硅材料则主要以在导电型碳化硅衬底上外延生长碳化硅外延层，应 用在各类功率器件上，近年来随着技术工艺的成熟、制备成本的下降，在新能源领域的 应用持续渗透。碳化硅材料将是未来新能源、5G 通信领域中碳化硅、氮化镓器件的重 要基础。

新能源与 5G 建设的基石：碳化硅衬底......................................................................................... 5

基站侧GaN 渗透提升，未来增长空间广阔............................................................................................ 7

碳化硅功率器件替代空间广阔+新能源车增长趋势确立.................................................................... 10

SiC 应用的关卡：SiC 衬底的供应.............................................................................................. 19

需求旺盛，供给不足：碳化硅衬底供应亟待解决................................................................................. 19

高技术壁垒带来的行业生态：高集中度、强整合趋势、锁单............................................................. 22

投资建议..................................................................................................................................... 27

为何在当前时点看好SiC 行业？ .................................................................................................................. 27