各环节技术壁垒高海外龙头垄断，产业链加速国产替代。SiC 衬底占产业 链主要价值量，具有极高制造难度，得益于国内政策大力扶持，衬底领域 出现良好国产替代契机。SiC 外延设备仍呈现四大龙头垄断格局，国内厂 商紧追国际前沿加速切入外延晶片生产领域，已具备较高生产水平并逐渐 接近海外领先水平。新一代半导体材料促使全新的封装工艺产生，有望带 来价值量的提升。SiC 功率器件时代来临，国内企业紧握超车机会，SiC 器 件和Si 器件价差不断缩小，国产替代进程有望进一步提速。

1、第三代半导体，特殊场景碳化硅优势显著.......................................................- 4 -

1.1、第三代半导体技术优越，后摩尔时代带来全新增量................................- 4 -

1.2、碳化硅应用优势显著，产业链发展路径明确............................................- 6 -

2、多应用领域驱动空间广阔，国内厂商积极扩产...............................................- 7 -

2.1、高压高功率领域优势突出，SIC 功率器件市场广阔................................- 7 -

2.2、供给缺口仍然广阔，产业链迎来国产化良机..........................................- 13 -

3、各环节技术壁垒高，国产替代正当其时........................................................- 15 -

3.1、碳化硅产业链环环紧扣，核心环节高度垄断..........................................- 15 -

3.2、衬底为核心技术难点，国产化契机已至..................................................- 15 -

3.3、外延质量对器件影响大，中国企业相继布局..........................................- 18 -

3.4、宽禁带半导体带来新的挑战，封装技术迭代升级..................................- 19 -

3.5、器件价差缩小，国产加速替代.................................................................- 21 -

4、相关公司梳理....................................................................................................- 25 -

5、风险提示............................................................................................................- 27 -